- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
110A
Мощность не более
446W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-247-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-247 [B]
Тип
NPT
Импульсный ток коллектора
150A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.5V @ 15V, 50A
Потери на переключение
995µJ (on), 1070µJ (off)
Заряд затвора
240nC
Время задержки переключения при 25 С
14ns/240ns
Время обратного восстановления
-
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!