- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Manufacturer: Microsemi Corporation
Description: IGBT 600V 65A 290W TO-247
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
65A
Мощность не более
290W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-247-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-247 [B]
Тип
PT
Импульсный ток коллектора
109A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.5V @ 15V, 20A
Потери на переключение
307µJ (on), 254µJ (off)
Заряд затвора
102nC
Время задержки переключения при 25 С
16ns/122ns
Время обратного восстановления
-
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!