- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Производитель: Fairchild/ON Semiconductor
Описание: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
650V
Ток коллектора не более
80A
Мощность не более
268W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 175°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-3P-3, SC-65-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-3PN
Тип
Trench Field Stop
Импульсный ток коллектора
120A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
1.81V @ 15V, 40A
Потери на переключение
194µJ (on), 388µJ (off)
Заряд затвора
73nC
Время задержки переключения при 25 С
19.2ns/68.8ns
Время обратного восстановления
-
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!