- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Manufacturer: STMicroelectronics
Description: IGBT 1300V 63A 250W TO3P
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1300V
Ток коллектора не более
63A
Мощность не более
250W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
960V, 20A, 10 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-3P-3 Full Pack
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-3P
Тип
-
Импульсный ток коллектора
125A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.8V @ 15V, 20A
Потери на переключение
3.4mJ (off)
Заряд затвора
127nC
Время задержки переключения при 25 С
-/284ns
Время обратного восстановления
-
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!