- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Производитель: Microsemi Corporation
Описание: IGBT 600V 100A 543W D3PAK
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
100A
Мощность не более
543W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
D3 [S]
Тип
PT
Импульсный ток коллектора
160A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.7V @ 15V, 40A
Потери на переключение
385µJ (on), 352µJ (off)
Заряд затвора
135nC
Время задержки переключения при 25 С
20ns/64ns
Время обратного восстановления
-
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!