- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Производитель: Microsemi Corporation
Описание: IGBT 1200V 117A 694W TO264
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
117A
Мощность не более
694W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
600V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-264-3, TO-264AA
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-264
Тип
NPT
Импульсный ток коллектора
200A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
3.2V @ 15V, 50A
Потери на переключение
2.14mJ (on), 1.48mJ (off)
Заряд затвора
445nC
Время задержки переключения при 25 С
28ns/237ns
Время обратного восстановления
-
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!