- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Bulk
Напряжение пробоя КЭ не более
650V
Ток коллектора не более
118A
Мощность не более
543W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
D3Pak
Тип
NPT
Импульсный ток коллектора
224A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.4V @ 15V, 45A
Потери на переключение
-
Заряд затвора
203nC
Время задержки переключения при 25 С
15ns/100ns
Время обратного восстановления
80ns
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!