- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Manufacturer: ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 50A TO247
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
100A
Мощность не более
500W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 175°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-247-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-247
Тип
Trench Field Stop
Импульсный ток коллектора
200A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
1.8V @ 15V, 50A
Потери на переключение
800µJ (on), 600µJ (off)
Заряд затвора
310nC
Время задержки переключения при 25 С
110ns/270ns
Время обратного восстановления
67ns
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!