- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Manufacturer: ON Semiconductor
Description: IGBT 600V 80A 257W TO247
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
80A
Мощность не более
257W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-247-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-247
Тип
Trench Field Stop
Импульсный ток коллектора
160A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.1V @ 15V, 40A
Потери на переключение
890µJ (on), 440µJ (off)
Заряд затвора
171nC
Время задержки переключения при 25 С
85ns/174ns
Время обратного восстановления
77ns
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!