- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
30A
Мощность не более
186W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
600V, 15A, 10 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-3P-3, SC-65-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-3P
Тип
NPT and Trench
Импульсный ток коллектора
45A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.4V @ 15V, 15A
Потери на переключение
3mJ (on), 600µJ (off)
Заряд затвора
120nC
Время задержки переключения при 25 С
15ns/160ns
Время обратного восстановления
330ns
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!