- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
80A
Мощность не более
480W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
600V, 40A, 5 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-3PN
Тип
Trench Field Stop
Импульсный ток коллектора
120A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.6V @ 15V, 40A
Потери на переключение
5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Заряд затвора
480nC
Время задержки переключения при 25 С
55ns/200ns
Время обратного восстановления
200ns
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!