- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
35A
Мощность не более
298W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-263AB
Тип
NPT
Импульсный ток коллектора
80A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.7V @ 15V, 10A
Потери на переключение
320µJ (on), 800µJ (off)
Заряд затвора
100nC
Время задержки переключения при 25 С
23ns/165ns
Время обратного восстановления
-
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!