- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Производитель: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A 60W TO262
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
11A
Мощность не более
60W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
960V, 5A, 50 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-262
Тип
-
Импульсный ток коллектора
22A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
4.3V @ 15V, 5A
Потери на переключение
450µJ (on), 440µJ (off)
Заряд затвора
28nC
Время задержки переключения при 25 С
23ns/93ns
Время обратного восстановления
-
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!