- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Производитель: ON Semiconductor
Описание: IGBT 600V 27A 2W TO220
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
27A
Мощность не более
2W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
300V, 15A, 30 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-220-3 Full Pack
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-220FI(LS)
Тип
NPT
Импульсный ток коллектора
108A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2V @ 15V, 15A
Потери на переключение
-
Заряд затвора
95nC
Время задержки переключения при 25 С
65ns/250ns
Время обратного восстановления
-
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!