- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Производитель: ON Semiconductor
Описание: IGBT 400V 30W TO220
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Напряжение пробоя КЭ не более
430V
Ток коллектора не более
-
Мощность не более
30W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
320V, 240A, 10 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-220-3 Full Pack
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-220FI(LS)
Тип
-
Импульсный ток коллектора
240A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
5V @ 15V, 240A
Потери на переключение
-
Заряд затвора
-
Время задержки переключения при 25 С
46ns/140ns
Время обратного восстановления
-
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDF![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!