GT60N321(Q)
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1000V
Ток коллектора не более
60A
Мощность не более
170W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
-
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-3PL
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-3P(LH)
Тип
-
Импульсный ток коллектора
120A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.8V @ 15V, 60A
Потери на переключение
-
Заряд затвора
-
Время задержки переключения при 25 С
330ns/700ns
Время обратного восстановления
2.5µs
| MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
