- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
10A
Мощность не более
60W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
300V, 10A, 100 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-220SM
Тип
-
Импульсный ток коллектора
20A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.7V @ 15V, 10A
Потери на переключение
-
Заряд затвора
-
Время задержки переключения при 25 С
400ns/400ns
Время обратного восстановления
200ns
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!