- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
6A
Мощность не более
48W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
480V, 3A, 1 kOhm, 15V
Диапазон рабочих температур
175°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
D-Pak
Тип
-
Импульсный ток коллектора
25A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
1.5V @ 15V, 3A
Потери на переключение
1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
Заряд затвора
18nC
Время задержки переключения при 25 С
125µs/3.4µs
Время обратного восстановления
1.7µs
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!