- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
48A
Мощность не более
150W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
480V, 24A, 33 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-268
Тип
-
Импульсный ток коллектора
96A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.5V @ 15V, 24A
Потери на переключение
1.3mJ (off)
Заряд затвора
41nC
Время задержки переключения при 25 С
50ns/150ns
Время обратного восстановления
25ns
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!