- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
70A
Мощность не более
250W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
960V, 35A, 2.7 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
ISOPLUS247™
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
ISOPLUS247™
Тип
PT
Импульсный ток коллектора
140A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
3.6V @ 15V, 35A
Потери на переключение
5mJ (off)
Заряд затвора
120nC
Время задержки переключения при 25 С
36ns/160ns
Время обратного восстановления
40ns
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!