- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Производитель: IXYS
Описание: IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
30A
Мощность не более
150W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
960V, 15A, 10 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-220-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-220AB
Тип
-
Импульсный ток коллектора
60A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
3.4V @ 15V, 15A
Потери на переключение
1.75mJ (off)
Заряд затвора
57nC
Время задержки переключения при 25 С
30ns/148ns
Время обратного восстановления
-
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!