- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Производитель: IXYS
Описание: IGBT 1200V 25A 300W TO220
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
25A
Мощность не более
300W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
600V, 10A, 47 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-220-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-220AB
Тип
NPT
Импульсный ток коллектора
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.95V @ 15V, 10A
Потери на переключение
1.1mJ (on), 130µJ (off)
Заряд затвора
36nC
Время задержки переключения при 25 С
-
Время обратного восстановления
300ns
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!