| Артикул | Производитель | Серия | Упаковка | Тип | Технология | Номинальный ток стока при 25 С | Диапазон рабочих температур | Способ монтажа | Типоразмер корпуса в каталоге поставщика | Типоразмер | Мощность не более | Напряжение СИ | Drive_Voltage_Max_Rds_On__Min_Rds_On | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds | Vgs_Max | Особенности | Рассеиваемая мощность не более | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Входная емкость при напряжении ЗИ | Жизненный цикл | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Жизненный цикл | |||||||||||||||||||||||
| 1178114 | HTNFET-T | Honeywell Microelectronics & PrecisionSensors | HTMOS™ | Bulk | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | -55°C ~ 225°C (TJ) | Through Hole | 4-Power Tab | 4-SIP | 55V | 5V | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 290pF @ 28V | 10V | - | 50W (Tj) | 400 mOhm @ 100mA, 5V | Active | ||
| 1179799 | HTNFET-D | Honeywell Microelectronics & PrecisionSensors | HTMOS™ | Tube | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | -55°C ~ 225°C (TJ) | Through Hole | 8-CDIP-EP | 8-CDIP Exposed Pad | 55V | - | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 290pF @ 28V | - | - | 50W (Tj) | 400 mOhm @ 100mA, 5V | Active | ||
| 1179800 | HTNFET-DC | Honeywell Microelectronics & PrecisionSensors | HTMOS™ | Tube | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | Through Hole | - | 8-CDIP Exposed Pad | 55V | - | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 290pF @ 28V | - | - | 50W (Tj) | 400 mOhm @ 100mA, 5V | Active | ||
| 1179802 | HTNFET-TC | Honeywell Microelectronics & PrecisionSensors | HTMOS™ | - | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | Through Hole | - | - | 55V | - | 2.4V @ 100µA | 4.3nC @ 5V | 290pF @ 28V | - | - | 50W (Tj) | 400 mOhm @ 100mA, 5V | Active |
