| Наименование | Технические условия | Категория качества | Производитель | Описание | Гарантийный срок эксплуатации | Количество компонентов в данной серии | Тип корпуса | Напряжение питания, В | Ток потребления,не более, мА | Рабочая температура,°С | Технология | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1490ХД1Н4 (Не производится) | ГДЦК.431328.007ТУ | ВП | Навис КБ | ВНУТРИПОЛОСНЫЙ ПОДАВИТЕЛЬ | 0 | ЕСКОРП. | 2.5 ± 5%; 3 ± 5% | 5, 45 | -60 - +125 | Структуры SI - GE | ||
| 1490ХД1У (Производство) | ГДЦК.431328.007ТУ | ВП | Навис КБ | ВНУТРИПОЛОСНЫЙ ПОДАВИТЕЛЬ | 0 | 5143.64 - 1 | 2.5 ± 5%; 3 ± 5% | 5, 45 | -60 - +125 | Структуры SI - GE | ||
| 1490ХД2Н4 (Не производится) | ГДЦК.431328.012ГУ | ВП | Навис КБ | УСТРОЙСТВО РАДИОПРИЕМНОЕ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОЕ | 0 | ЕСКОРП. | 3 ± 5% | 150 | -60 - +125 | Структуры SI - GE | ||
| 1490ХД2У (Производство) | ГДЦК.431328.012ТУ | ВП | Навис КБ | УСТРОЙСТВО РАДИОПРИЕМНОЕ ПОМЕХОУСТОЙЧИВОЕ | 0 | 5143.64 - 1 | 3 ± 5% | 150 | -60 - +125 | Структуры SI - GE |
- Производитель:
- Навис КБ×
